• <tr id='O9PsaE'><strong id='O9PsaE'></strong><small id='O9PsaE'></small><button id='O9PsaE'></button><li id='O9PsaE'><noscript id='O9PsaE'><big id='O9PsaE'></big><dt id='O9PsaE'></dt></noscript></li></tr><ol id='O9PsaE'><option id='O9PsaE'><table id='O9PsaE'><blockquote id='O9PsaE'><tbody id='O9PsaE'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='O9PsaE'></u><kbd id='O9PsaE'><kbd id='O9PsaE'></kbd></kbd>

    <code id='O9PsaE'><strong id='O9PsaE'></strong></code>

    <fieldset id='O9PsaE'></fieldset>
          <span id='O9PsaE'></span>

              <ins id='O9PsaE'></ins>
              <acronym id='O9PsaE'><em id='O9PsaE'></em><td id='O9PsaE'><div id='O9PsaE'></div></td></acronym><address id='O9PsaE'><big id='O9PsaE'><big id='O9PsaE'></big><legend id='O9PsaE'></legend></big></address>

              <i id='O9PsaE'><div id='O9PsaE'><ins id='O9PsaE'></ins></div></i>
              <i id='O9PsaE'></i>
            1. <dl id='O9PsaE'></dl>
              1. <blockquote id='O9PsaE'><q id='O9PsaE'><noscript id='O9PsaE'></noscript><dt id='O9PsaE'></dt></q></blockquote><noframes id='O9PsaE'><i id='O9PsaE'></i>
                  当前位置 >>  首页 >> 综合信息 >> 合作交流

                合作交流

                IEEE Fellow、美国应用材料公司ChorngPing-Chang博士访▓问微电子所

                稿件来源:科技处 张修竹 发布时间:2020-01-19

                      114日,IEEE Fellow、美国应用材料公司(AMATChorngPing-Chang博士一行到微电子所访问交流。微电子所副总工程师梁利平研究员主持交流会▼,重点实验室主任Ψ刘明院士,高频高压中心主任金智研究员≡,先导中心副主任殷华湘研究员、罗军研究员,重点实验室↙副主任刘琦研究员等参加了交流㊣活动。 

                  交流会上,梁利平对ChorngPing-Chang博士一行的【到来表示热烈欢迎,并对微电子所整体情况进行了介绍。刘琦介绍了重点实验室在新型存储器和内存计算技术方面的研究进展。高频高压中心黄森研究员介绍了高频高压中心在SiC电力电子器件、GaN功率器件方面的研究成果。殷华湘介绍了先导中心基于先进CMOS工艺和材料技术的Si量子⊙点的研究。AMAT技术人员介绍了公司的主营业务、研发方向及西安实验室在设备方面的相关情况。双方就新型存储器、大功率半导体器件、量子器件等方面进行了探讨,希望未来在相关方面进一步开展合作。会后,ChorngPing-Chang博士一行参观了先导中心工艺线。 

                  ChorngPing-Chang博士荣膺2016IEEE Fellow,在研究“CMOS技术的替代栅极∞和浅沟槽隔离”贡献卓著,其研究对集成电路制造的进展深具影响。 


                会议现场

                工艺线参★观

                附件: